Valmistajan osanumero : | UMD6NTR |
---|---|
RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
Valmistaja / merkki : | LAPIS Semiconductor |
Varaston kunto : | 3238 pcs Stock |
Kuvaus : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
Lähetys : | Hong Kong |
lomakkeissa : | UMD6NTR(1).pdfUMD6NTR(2).pdf |
Lähetysreitti : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Osanumero | UMD6NTR |
---|---|
Valmistaja | LAPIS Semiconductor |
Kuvaus | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
Saatavana oleva määrä | 3238 pcs |
lomakkeissa | UMD6NTR(1).pdfUMD6NTR(2).pdf |
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
transistori tyyppi | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Toimittaja Device Package | UMT6 |
Sarja | - |
Vastus - emitteripohja (R2) | - |
Vastus - pohja (R1) | 4.7 kOhms |
Virta - Max | 150mW |
Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika | 10 Weeks |
Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
Taajuus - Siirtyminen | 250MHz |
Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | - |
Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
Perusosan osanumero | *MD6 |
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6