Valmistajan osanumero : | NSBA114YDXV6T1 | RoHs-tila : | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
---|---|---|---|
Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Varaston kunto : | 4124 pcs Stock |
Kuvaus : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Lähetys : | Hong Kong |
lomakkeissa : | NSBA114YDXV6T1.pdf | Lähetysreitti : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Osanumero | NSBA114YDXV6T1 |
---|---|
Valmistaja | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Kuvaus | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Lyijytön tila / RoHS-tila | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
Saatavana oleva määrä | 4124 pcs |
lomakkeissa | NSBA114YDXV6T1.pdf |
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
transistori tyyppi | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Toimittaja Device Package | SOT-563 |
Sarja | - |
Vastus - emitteripohja (R2) | 47 kOhms |
Vastus - pohja (R1) | 10 kOhms |
Virta - Max | 500mW |
Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case | SOT-563, SOT-666 |
Muut nimet | NSBA114YDXV6T1OS |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila | Contains lead / RoHS non-compliant |
Taajuus - Siirtyminen | - |
Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
Perusosan osanumero | NSBA1* |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963