Samsung Electronics aloittaa 3 nm -sirujen massatuotannon GAA -tekniikkaan perustuen

Jun 30,2022
Korean Media BusinessKorean mukaan Samsung Electronics aloittaa 39 NM: n puolijohteiden massatuotannon Gate All Gate (GAA) -teknologiaan 30. kesäkuuta perustamalla 30. kesäkuuta perustamalla perustan TSMC: n, maailman suurimman valimon, perustamiselle.


Raporttien mukaan Samsung Electronics ilmoittaa virallisesti GAA-pohjaisten 3NM-puolijohteiden massatuotannon 30. kesäkuuta. Raportoidaan, että GAA-transistorirakenne on parempi kuin nykyinen FinFET-rakenne, koska se voi vähentää sirun kokoa ja virrankulutusta.

Samsung Electronics aloitti uuden tekniikan käytön aikaisemmin kuin TSMC ja Intel, jotka aikovat aloittaa 3 nm: n sirujen massatuotannon tämän vuoden jälkipuoliskolla ja seuraavan vuoden jälkipuoliskolla.
Tuote RFQ