SK HYNIX aikoo kokeilemaan 238-kerroksen Nand Flash -muistia vuoden sisällä
Jul 29,2022
SK Hynix paljasti äskettäisessä toisen vuosineljänneksen ansaintakonferenssipuhelussa, että se aikoo suorittaa 238-kerroksen NAND: n kokeilutuotannon vuoden sisällä ja saavuttaa massatuotanto vuoden 2023 ensimmäisellä puoliskolla.
Vastauksena Micronin äskettäiseen 232-kerroksen NAND-massatuotantoon Hynix totesi, että eri valmistajilla on erilaiset tuoterytmit ja varastointimarkkinoiden tulisi tällä hetkellä keskittyä kannattavuuden parantamiseen. Hynixin tavoitteena on saavuttaa alan korkein kannattavuus.
Yhtiö totesi myös aikovansa saavuttaa 70% päätuotteesta 176-kerroksisesta 4D NAND -lähetyksestä kiekkojen muodossa tämän vuoden loppuun mennessä, jotta bruttovoittomarginaali lisää edelleen.
Vastauksena DRAM -markkinaolosuhteisiin Hynix sanoi, että vaikka DRAM: n keskimääräinen myyntihinta (ASP) on tällä hetkellä alhainen, kustannusten alennus riittää korvaamaan ASP: n muutoksen. Yhtiö odottaa, että DRAM -lähetykset kasvavat noin 10% tänä vuonna, ja NAND Flash -lähetykset kasvavat. 20%.
Vastauksena Micronin äskettäiseen 232-kerroksen NAND-massatuotantoon Hynix totesi, että eri valmistajilla on erilaiset tuoterytmit ja varastointimarkkinoiden tulisi tällä hetkellä keskittyä kannattavuuden parantamiseen. Hynixin tavoitteena on saavuttaa alan korkein kannattavuus.
Yhtiö totesi myös aikovansa saavuttaa 70% päätuotteesta 176-kerroksisesta 4D NAND -lähetyksestä kiekkojen muodossa tämän vuoden loppuun mennessä, jotta bruttovoittomarginaali lisää edelleen.
Vastauksena DRAM -markkinaolosuhteisiin Hynix sanoi, että vaikka DRAM: n keskimääräinen myyntihinta (ASP) on tällä hetkellä alhainen, kustannusten alennus riittää korvaamaan ASP: n muutoksen. Yhtiö odottaa, että DRAM -lähetykset kasvavat noin 10% tänä vuonna, ja NAND Flash -lähetykset kasvavat. 20%.