Valmistajan osanumero : | R6009KNX |
---|---|
RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
Valmistaja / merkki : | LAPIS Semiconductor |
Varaston kunto : | 395 pcs Stock |
Kuvaus : | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM |
Lähetys : | Hong Kong |
lomakkeissa : | R6009KNX.pdf |
Lähetysreitti : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Osanumero | R6009KNX |
---|---|
Valmistaja | LAPIS Semiconductor |
Kuvaus | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM |
Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
Saatavana oleva määrä | 395 pcs |
lomakkeissa | R6009KNX.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package | TO-220FM |
Sarja | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 48W (Tc) |
Pakkaus | Bulk |
Pakkaus / Case | TO-220-3 Full Pack |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika | 15 Weeks |
Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
FET tyyppi | N-Channel |
FET Ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 600V |
Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 600V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM